扩大低电压“U-MOS IX-H系列”MOSFET产品阵容

 

U-MOS IX-H 

东京-- 东芝公司（TOKYO:6502）旗下存储与电子元器件解决方案公司今日推出了40V和45V新产品，扩大其“U-MOS IX-H系列”低电压N沟道功率MOSFET产品阵容，这些新产品提供业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。这些新产品包括9款40V产品和5款45V产品，它们适用于工业和消费应用，包括高效率直流-直流转换器、高效率交直流转换器、电源和电机驱动。出货即日启动。

新的MOSFET利用东芝最新一代低电压沟槽结构U-MOS IX-H工艺，实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。新结构降低了“RDS(ON) * Qsw”[2]的性能指标，将开关应用提高到新的高度，超越了东芝现有产品[3]。通过减小输出电荷，实现输出损耗改善，有助于提高装置效率。此外，新MOSFET所使用的单元结构经过优化，可抑制开关切换期间的尖峰电压和瞬时振荡，有助于降低装置电磁干扰（EMI）。