东京-- 东芝公司（TOKYO：6502）旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向高效电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超级结N沟道功率MOSFET。“DTMOS IV系列”的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的“π-MOSVIII系列”相比，其可将其单位面积导通电阻（RON x A）降低近79%。 该系列产品改进的高速开关还有助于提高使用该系列产品的芯片组的电源效率。这些MOSFET适用于工业电源，服务器、笔记本电脑适配器和充电器以及移动设备的备用电源以及LED照明灯具的电源。出货即日启动。

新MOSFET产品阵容及主要规格：

 

（@Ta=25°C）

产品

型号 封装 绝对最大

额定值 RDS(ON)

@VGS=10 V

（Ω） Qg典型值

@VDD≈640 V,

VGS=10 V,

ID=最大

额定值

（nC） Ciss典型值

@VDS=300 V,

VGS=0 V,

f=1 MHz

（pF）

VDSS

@

ID=10 mA

（V） ID

（A）

TK17A80W TO-220SIS 800 17 0.29 32 2050[1]

TK12A80W TO-220SIS 800 11.5 0.45 23 1400

TK10A80W TO-220SIS 800 9.5 0.55 19 1150

TK7A80W TO-220SIS 800 6.5 0.95 13 700

TK17E80W TO-220 800 17 0.29 32 2050[1]

TK12E80W TO-220 800 11.5 0.45 23 1400

TK10E80W TO-220 800 9.5 0.55 19 1150

TK7E80W TO-220 800 6.5 0.95 13 700