描述

 

LM5022-Q1 是一款高压、低侧 N 沟道 MOSFET 控制器，非常适合升压稳压器和 SEPIC 稳压器。该器件包含实现 单端 一次侧拓扑所需的全部功能。输出稳压基于电流模式控制，这不仅简化了环路补偿的设计，同时还能够提供固有输入电压前馈。LM5022-Q1 包含一个启动稳压器，该稳压器在 6V 至 60V 的宽输入电压范围内工作。PWM 控制器专为高速性能而设计，振荡器频率范围高达 2.2MHz，总传播延迟不到 100ns。其他 功能 包括误差放大器、精密基准、线路欠压锁定、逐周期电流限制、斜率补偿、软启动、外部同步功能以及热关断。LM5022-Q1 采用 10 引脚 VSSOP 封装。

 

特性

 

具有符合 AEC-Q100 1 级标准的下列结果：

器件温度等级 1：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围

器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2

器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C5

内部 60V 启动稳压器

峰值电流为 1A 的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 栅极驱动器

VIN 范围：6V 至 60V（启动后，最低可以在 3V 下工作）

占空比限值为 90%

可编程欠压锁定 (UVLO) 与滞后

逐周期电流限制

可通过单个电阻设置振荡器频率

可调节开关频率范围达 2.2MHz

外部时钟同步

斜率补偿

可调节软启动

10 引脚超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装

应用

 

升压转换器

SEPIC 转换器