描述

 

LMG5200 器件是一款 80V、10A 驱动器兼 GaN 半桥功率级，借助增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。

 

GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm x 8mm x 2mm 无引线封装，可轻松安装在 PCB 上。

 

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VCC 电压如何，最高都能够承受 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

 

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。

 

特性

 

集成 15mΩ GaN FET 和驱动器

80V 连续电压，100V 脉冲电压，电压额定值

封装经过优化方便 PCB 布线，无需考底部填充、爬电距离和电气间隙要求

超低的公共源电感，确保了高转换率，在硬开关拓扑中不会造成过多的振铃

非常适合频率高达 10MHz 的隔离和非隔离 应用

内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱

电源轨欠压闭锁保护

优异的传播延迟（典型值为 29.5ns）和匹配（典型值为 2ns）

低功耗

应用

 

宽 VIN 数兆赫兹同步降压转换器

D 类音频放大器

适用于电信、工业和企业计算的 48V 负载点 (POL) 转换器

高功率密度单相和三相电机驱动