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东芝推出散热效果更佳40V N-ch功率MOSFETs-TPWR7904PB
来源: 未知 发布时间: 2018-09-17 浏览次数:101

东芝电子元件及储存装置株式会社(东芝)推出两款可应用于车用相关设计最新40V Nch MOSFET – TPWR7904PB & TPW1R104PB。此两款IC皆已经开始量产出货。

此款IC为U-MOS第九代芯片采用沟槽式结构,其确保高散热及低电阻的特性。让散热设计更加灵活。与前一代相比,U-MOS第九代的切换干扰也较低,EMI表现效果较佳。

封装采用DSOP Advance (WF; Wettable Flank) 为侧翼可沾锡的封装结构。双面散热封装,低电阻以及小尺寸。

 

产品特点

-             符合AEC-Q101标准

-             顶板(Top plate)及源极作为散热途径

-             wettable flank可提升AOI检测度

-             U-MOS第九代系列特性为低电阻、低干扰

应用方面

-             电动辅助转向系统

-             负载开关

-             电动泵

产品规格

(@Ta=25℃)

产品料号

绝对最大额定值

Drain-source 电阻
RDS(ON) max(mΩ)

内建定电压二极管

系列

封装

Drain- 源极电压 VDSS
(V)

Drain 电流 (DC) ID
(A)

@VGS
6V

@VGS= 10V

TPWR7904PB

40

150

1.3

0.79

No

U-MOS IX-H

DSOP Advance(WF)L

TPW1R104PB

120

1.96

1.14

DSOP Advance(WF)M

[1] EMI(电磁干扰)

[2] Wettable Flank Terminal: 一种端子结构,能在电路板上进行自动光学检测(AOI)的安装

[3]请注意该顶板电压与源极电压相同,但不可作为电极使用

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