东京——全球存储器解决方案领导者东芝存储器株式会社今日宣布推出一种新的存储级内存(SCM)解决方案：XL-FLASH™。基于公司创新性BiCS FLASH™ 3D闪存技术 和其中的1bit-per-cell SLC，XL-FLASH™可实现数据中心以及企业级存储的低延迟与高性能。样品出货将于9月启动，量产计划预计从2020年开始。

XL-FLASH™被归类为SCM（或称持续性内存），能够像NAND闪存一样保存其内容，弥补DRAM与NAND之间存在的性能差距。虽然DRAM等易失性存储器解决方案可提供各类严苛应用所需的存取速度，但实现该性能会产生高昂的成本。随著DRAM的每位元储存价格和扩容性趋于稳定，存储器产品中的这一新型SCM（或称持续性内存）提供了一种高密度、高性价比、非易失性NAND闪存解决方案。

XL-FLASH™介于DRAM与NAND闪存之间，它速度快、延迟低、储存容量大，但与传统DRAM相比，成本更低。虽然XL-FLASH™最初以SSD格式开发，但其可扩展成为DRAM总线上的存储设备，例如未来产业标准的非易失性双列直插式内存模块(NVDIMM)。