半导体应用网消息，Littelfuse, Inc.近日宣布推出了低电容瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）。该产品经过优化设计，可用于保护高速差分数据线免受因静电放电（ESD）、电缆放电（CDE）、电气快速瞬变（EFT）和雷击感应浪涌造成的损坏，通过维护信号完整性保持网络通信的可靠性。

SP3384NUTG瞬态抑制二极管阵列产品

SP3384NUTG系列可在高达15A (IEC 61000-4- 5第2版)和高达±30kV ESD (IEC 61000-4-2)的情况下为四个信道提供保护，并可提供紧凑型μDFN封装。 由于兼具低电容和低钳位电压，SP3384NUTG可针对2.5G/5G/10G以太网高速数据接口提供可靠的保护解决方案，同时避免信号衰减，提高各种应用的可靠性。

SP3384NUTG系列瞬态抑制二极管的典型市场和应用包括：

• 数据中心和电信 - 2.5G/5G/10G以太网、WAN/LAN设备、5G无线回程

• 工业 - LVDS接口、集成磁

• 消费电子产品 - 台式机、服务器和笔记本电脑

 “基于1GbE和5GbE应用中相似的封装尺寸，SP3384NUTG系列扩大了我们的产品组合，并满足了当今速度最快的10GbE消费以太网解决方案对超强ESD和浪涌保护的市场需求。”瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）业务开发总监Tim Micun表示。 “它还采用了数据中心、电信以及消费电子产品行业常见的紧凑配置封装。”

SP3384NUTG系列瞬态抑制二极管阵列具有下列主要优势：

• 低电容(每个I/O 0.5pF)和低箝位电压(4V@Ipp=1A)，可维护信号完整性，将数据损失降至最低，同时使设备在面临电气威胁时更加稳定可靠。

• 紧凑型μDFN封装(3.0 x 2.0mm)专为保护高速差分数据线进行了优化。

• 在高达15A的电流条件下为两个差分数据线对（4个信道）提供保护。

• 超过针对ESD保护的最高IEC标准要求，确保产品可靠性。