低高度封装产品支持从微控制器无缓冲直接驱动低到中等功率IGBT和MOSFET

Gate-drive photocouplers SO6L 

东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出一个采用低高度封装的低输入电流驱动、轨至轨输出、栅极驱动光电耦合器系列，该系列产品支持从微控制器无缓冲直接驱动低到中等功率IGBT和MOSFET。三款新产品“TLP5771”, “TLP5772”和“TLP5774”出货即日启动。

新的光电耦合器产品阈值输入电流为2mA（最大值），仅为东芝现有产品[1]4mA（最大值）的一半，支持从微控制器无缓冲直接驱动低到中等功率IGBT和MOSFET。该新系列提供1A、2.5A和4A三个级别的峰值输出电流，确保它们满足各种用户需求。

与15V（最小值）的东芝现有产品[１]相比，新的光电耦合器具有轨至轨输出，而且工作电压减少至10V（最小值），有助于提高系统效率、降低功耗。而且，2.3mm低高度SO6L封装有助于研发更轻薄、更小巧的系统。主要应用包括伺服扩大器、小型电机驱动器、通用逆变器、光伏（PV）逆变器和工业缝纫机。

主要规格

 

（隔离电压，共模瞬态抑制：@Ta = 25摄氏度，

其他规格：@Ta = -40-110摄氏度）

产品型号 TLP5771 TLP5772 TLP5774

封装 SO6L

峰值输出电流 ±1.0 A ±2.5 A ±4.0 A

工作电压范围 10 to 30 V

阈值输入电流 2 mA（最大值）

电源电流 3 mA（最大值）

传输延迟时间 150 ns（最大值）

传输延迟偏差 80 ns（最大值）

轨至轨输出 配备

欠压锁定功能 配备

爬电距离/电气间隙 8 mm （最小值）

隔离电压 5,000 Vrms （最小值）

共模瞬态 抑制 ±35 kV/μs （最小值）

工作温度范围 -40-110摄氏度

适用功率器件 示例 小型IGBT （高达20A）和 MOSFET 中型IGBT（高达80A）和MOSFET 中型IGBT（高达100A） 和MOSFET