SiFotonics Technologies宣布其硅光PD/APD芯片相关产品已经过市场检验逐渐走向成熟，将借助硅光子技术显著的成本优势全面进入传统光器件市场。

　　时机成熟

　　经过近十年的努力和积累、数代产品的更迭，SiFotonics的锗硅PD/APD芯片已在性能、量产能力、可靠性等方面得到足够的市场检验，目前各类产品已累计出货近100万颗，全面进军市场的时机已经成熟。

　　高性价比

　　SiFotonics利用世界领先的硅光技术，由一流CMOS工厂代工生产8英寸PD/APD晶圆。借助硅光技术固有的成本优势，SiFotonics能够给出比同类产品更低的价格，以帮助客户降低成本。

　　SiFotonics’ 8 inch Ge/Si APD wafer mass-produced in standard CMOS foundry

　　“这并不是价格战，”SiFotonics CEO潘栋博士说，“硅光是一种颠覆性技术，相对的低成本是必然的结果之一。我们的芯片得到了国内外众多厂商的支持和反复验证，目前各方面已经成熟，现在正是我们用高性价比的产品回馈市场的最佳时机。相比传统的单通道器件，我们能保证至少20%的价格优势，当然，只要量够大，还可以有更大空间。”

　　“很多时候, 硅光产品又好又便宜，”潘栋博士补充道，“ 例如我们的10G APD已被众多客户证实在很多应用场景下表现比传统III-V器件好。比如基于我们的10G 1550nm APD芯片的ROSA产品，灵敏度平均值达到-28.5dBm，已明显超过传统器件。”

　　此外，硅基技术还带来另一个潜在优势：非气密封装——这种低成本封装形式将有可能带来超过芯片本身的更为诱人的成本削减。目前SiFotonics 与多家客户合作开发非气密封装的光器件，经过验证其可靠性完全满足要求。

　　着眼未来

　　锗硅APD的性能优势在更高速率下更加明显，SiFotonics近期推出的25G APD芯片及TO-Can性能已做到业界最高，此产品将有望推动100G-PON标准的建立和100G光纤接入技术的更快实现。

　　立足于硅光子技术，SiFotonics已有能力提供2.5G到25G全速率、全波段的PD/APD解决方案，这也使得客户有机会制定更全面、更具持续性的技术路线。

　　“这仅仅是个开始，”潘栋博士表示，“提供高性价比的分立器件只是我们技术路线的第一步，我们的高集成化硅光芯片已进入客户评估阶段。很快，市场会感受到更为强劲的硅光集成芯片的冲击。”