全新晶体管在技术改进方面实现了巨大飞跃，可满足工作频率为1805至2690 MHz的宏基站的严苛要求。

英国伦敦–欧洲微波展(EuMW) 2016，–2016年10月4日——恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（纳斯达克代码：NXPI）今天推出Airfast第三代产品，首发的是四颗用于蜂窝通信宏基站重点 LDMOS晶体管方案。全新Airfast 3在技术上达到了新的里程碑，在满足所有当前无线标准的严苛要求的同时，提升了性能指标，具备宽广的瞬时带宽，单科器件即可覆盖整个通信频段。

恩智浦Airfast 3产品在效率、增益、射频输出功率和信号带宽方面提供行业领先的性能，同时大幅减少了提供给定射频输出功率水平所需的尺寸。相比Airfast 2，第三代产品的效率提升了4%（53%的末级效率和高达50%的产品组合效率），热性能提升了20%，提供高达90 MHz的全信号带宽并且空间节省高达30%。

恩智浦射频功率事业部执行副总裁、总经理Paul Hart表示：“减小蜂窝基站的尺寸需要持续改进射频功率放大器。我们的第三代Airfast解决方案提供行业领先的性能，并且采用推动行业进步所需的封装尺寸。”

全新Airfast 3高功率LDMOS晶体管

这四款全新Airfast 3 LDMOS射频功率晶体管设计用于对称Doherty放大器架构，包括：

• A3T18H450W23S：1805至1880 MHz，89 W平均射频输出功率，17.2 dB增益，51%效率
• A3T18H360W23S：1805至1880 MHz，56 W平均射频输出功率，17.5 dB增益，53%效率
• A3T21H450W23S：2110至2200 MHz，89 W平均射频输出功率，15.5 dB增益，49.5%效率
• A3T26H200W24S：2496至2690 MHz，37 W平均射频输出功率，16.3 dB增益，50%效率

这些全新晶体管是首批采用气腔塑料封装的Airfast产品，具有出色的射频性能与较低热阻，从而减少了系统总散热量。